ZrB2掺杂提高MgB2超导带材的临界电流密度
超导电性
2009-11-11 v1 材料科学
摘要
采用原位粉末装管法（in situ powder-in-tube method）制备了添加2.5-10 at.% ZrB2的MgB2/Fe超导带材。与纯MgB2带材相比，添加ZrB2的样品在场致临界电流密度Jc方面有显著提高，尤其是10 at.%掺杂的样品，而临界温度略有下降。在4.2 K、磁场高于9 T的条件下，10 at.%掺杂样品的输运Jc比未掺杂样品提高了一个数量级以上。ZrB2添加引起的纳米尺度偏析或缺陷可作为有效的磁通钉扎中心，这被认为是Jc场致性能提高的主要原因。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610286,
title = {Improved critical current densities in MgB2 tapes with ZrB2 doping},
author = {Xianping Zhang and Zhaoshun Gao and Dongliang Wang and Zhengguang Yu and Yanwei Ma and S. Awaji and K. Watanabe},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610286},
year = {2009}
}
备注
14 pages, 6 figures