B4C掺杂MgB2线材中临界电流密度的改善
超导电性
2009-11-11 v1
摘要
在添加10 wt.% B4C粉末并在800°C反应后，MgB2线材的传输临界电流密度Jc得到了改善：对于铁基体中直径为1.11 mm的线材，在4.2 K和9 T下获得了1.10^4 A/cm2的Jc值。起始的Mg和B混合物掺杂了亚微米级B4C，比例为Mg : B : B4C = 1 : 2 : 0.08，对应10 wt.% B4C。当T > 800°C时，由于与铁包套的反应，发现Jc下降。为了研究在高达800°C的热处理下传输性能改善的起源，进行了X射线衍射测量。发现晶格常数a从0.30854 nm减小到0.30797 nm，这表明碳的替代对线材性能有影响。与文献数据比较表明，添加B4C粉末导致Jc的改善是迄今为止报道的仅次于SiC的第二高，因此构成了未来应用的一种替代方案。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607073,
title = {Improved critical current densities in B4C doped MgB2 based wires},
author = {P. Lezza and C. Senatore and R. Flukiger},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607073},
year = {2009}
}
备注
18 pages, 8 figures, 1 table