纳米C掺杂对MgB2束带中原位处理工艺的影响
超导电性
2015-06-25 v3
摘要
研究了纳米C掺杂对Fe护套MgB2束带微结构及超导性能的影响。该束带通过原位粉末夹管法制备，热处理温度为650℃，持续1小时。扫描电子显微镜检查显示，C掺杂后MgB2的晶粒尺寸更小。进一步地，a轴晶格参数和转变温度随掺杂水平的增加而单调减小，这是由于C取代B原子所致。由于C掺杂获得的超导相非常细小晶粒结构，实现了在磁场条件下的高临界电流密度Jc值。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0509475,
title = {Effect of nano-C doping on the in-situ processed MgB2 tapes},
author = {Xianping Zhang and Yanwei Ma* and Aixia Xu and Yulei Jiao and Ling Xiao and S. Awaji and K. Watanabe and Huan Yang and Haihu Wen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0509475},
year = {2015}
}
备注
revised manuscript, 4 pages, 4 figures. to be published soon