纳米 SiC 掺杂用于增强 MgB2 超导体的 Jc 与 Hc2
超导电性
2009-11-10 v1
摘要
我们通过输运和磁学测量研究了 MgB2 纳米 SiC 掺杂的效果。发现 Tc、电阻率 r、残余电阻率比 RRR=R(300K)/R(40K)、不可逆场 H* 以及样品中的掺杂状态之间存在明确的相关性。SiC 掺杂引入了许多纳米级析出相，使 40K 处电阻率从干净样品的 1 mW-cm（RRR=15）增大至掺杂后 300 mW-cm（RRR=1.75），从而在仅对 Tc 影响不大的情况下显著增大了 Hc2 和 H*。EELS 分析显示，掺杂样品中包含 Mg2Si、MgO、MgB4、BOx、SixByOz、BC 以及未反应的 SiC 等多个纳米级杂质相。TEM 研究表明，SiC 掺杂诱导了 2-4 nm 的大尺度相位结构。与未掺杂样品相比，10% 纳米 SiC 掺杂样品的 Jc 在所有场压和温度下均显著增大，这是由于 SiC 掺杂产生的 Hc2 和 H* 的显著增大所致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0308265,
title = {Nanoscale-SiC doping for enhancing Jc and Hc2 in the Superconducting MgB2},
author = {S. X. Dou and V. Braccini and S. Soltanian and R. Klie and Y. Zhu and S. Li and X. L. Wang and D. Larbalestier},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0308265},
year = {2009}
}