纳米碳掺杂MgB2超导体的临界参数增强
超导电性
2015-05-13 v2
摘要
我们进行了高场磁化强度和磁输运测量，以确定MgB2-xCx体系的临界超导参数。合成的样品为纯相，并使用Rietveld精修进行了晶格参数评估。R-T(H)测量在高达140 kOe的磁场下进行。基于正常态电阻率90%的判据，即Hc2=H at which Rho=90%RhoN，其中RhoN是正常态电阻率（在我们的情况下约为40 K时的电阻率），从这些数据获得了上临界场Hc2值。Werthamer-Helfand-Hohenberg (WHH)对Hc(0)的预测低估了临界场值，甚至低于测量所达到的场强。之后，将Ginzburg-Landau理论（GL方程）模型应用于R-T(H)数据，该模型不仅计算了Hc2(0)值，还确定了在低温高场区域Hc2对温度的依赖性。纯MgB2的估计Hc(0)=157.2 kOe在MgB2-xCx系列中对于x=0.15的样品显著增强至297.5 kOe。在不同温度下进行了高达120 kOe的磁化强度测量，并计算了其他参数，如不可逆场Hirr和临界电流密度Jc(H)。与纯MgB2样品相比，纳米碳掺杂导致临界参数如Hc2、Hirr和Jc(H)显著增强。
引用
@article{arxiv.0907.2129,
title = {Enhanced Critical parameters of nano-Carbon doped MgB2 Superconductor},
author = {Monika Mudgel and L. S. Sharath Chandra and V. Ganesan and G. L. Bhalla and H. Kishan and V. P. S. Awana},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.2129},
year = {2015}
}
备注
25 pages with 9 Figs: comments/suggestions([email protected])