块体 MgB2 + 纳米 SiC 复合体系的超导性：高强度磁化研究
超导电性
2009-11-13 v1
摘要
我们研究了纳米 SiC 添加对 MgB2 超导体晶体结构、临界温度(Tc)、临界电流密度(Jc)和磁通钉扎的影响。X 射线衍射图谱显示所有样品均以 MgB2 为主相，并含有极少量 MgO；进一步添加 n-SiC 后还检测到 Mg2Si 的存在，并经 SEM 和 EDS 确认。纯 MgB2 在 8 特斯拉外加场下的 Tc 值为 18.9 K，而 10 wt% n-SiC 掺杂样品在相同场下为 20.8 K。这表明上临界场值随 n-SiC 添加而增加。5% n-SiC 添加样品的不可逆场(Hirr)达到 11.3、10 和 5.8 特斯拉，而纯 MgB2 在 5、10 和 20 K 时分别为 7.5、6.5 和 4.2 特斯拉。5 wt% n-SiC 添加样品在 10 K 和 6.5 特斯拉场下的临界电流密度(Jc)提高了 35 倍，在 20 K 和 4.2 特斯拉场下提高了 20 倍。这些结果可从超导凝聚体(σ 能带)无序以及由此产生的本征钉扎（源于 B 位 C 取代）与复合体系中可用 n-SiC/Mg2Si 钉扎中心提供的外在钉扎联合加以理解。
引用
@article{arxiv.0802.3971,
title = {Superconductivity of bulk MgB2 + nano(n)-SiC composite system: A high field magnetization study},
author = {Arpita Vajpayee and V. P. S. Awana and H. Kishan and G. L. Bhalla},
journal= {arXiv preprint arXiv:0802.3971},
year = {2009}
}
备注
19 pages of Text + Figs. comments/suggestions are welcome ([email protected])