通过可扩展的纳米粒子添加法制备的MgB2 bulk样品中较高临界电流密度与改进不可逆域
超导电性
2009-11-07 v1
摘要
使用简单的固态反应路线加入5、10和15% wt.% Y2O3纳米粒子制备了MgB2的bulk样品。载流子显微镜（TEM）显示，由约3-5 nm YB4纳米粒子构成的细小纳米结构嵌入约400 nm大小的MgB2晶粒中。与未掺杂对照样品相比，观察到对场内临界电流密度J_c的改善，尤其是10%掺杂效果最佳。在4.2K时，下限J_c值约为2x105A.cm-2。在20K时，相应值为约8x104A.cm-2。不可逆域在4.2K时约为11.5 T，在20K时约为5.5T，而与高压制备的bulk样品分别为约4T和8T。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0204472,
title = {High Critical Current Density and Improved Irreversibility Field in Bulk MgB2 Made By A Scaleable, Nanoparticle Addition Route},
author = {J. Wang and Y. Bugoslavsky and A. Berenov and L. Cowey and A. D. Caplin and L. F. Cohen and J. L. MacManus Driscoll and L. D. Cooley and X. Song and D. C. Larbalestier},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0204472},
year = {2009}
}