通过液相助烧结法提高 MgB₂ 中的电流密度
超导电性
2009-11-11 v1 材料科学
摘要
采用 Mg、B 与 GaN 粉末反应法制备了含 GaN 掺杂的 MgB₂ 多晶体样品。Ga 的存在导致形成低熔点共晃相，使得液相烧结可行并产生板状晶粒。对于低浓度 GaN 掺杂（≤5% at.%），临界温度 Tc 保持不变，在 1T 磁场下，临界电流密度 Jc 分别在约 5K 和 20K 时分别提高了 2 倍和 10 倍。所得数值接近于热等压压制样品的数值。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0504793,
title = {Improved Current Densities in MgB2 By Liquid-Assisted Sintering},
author = {S. K. Chen and Z. Lockman and M. Wei and B. A. Glowacki and J. L. MacManus-Driscoll},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0504793},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 1 table, 4 figures, accepted in Applied Physics Letters