使用极少量Dy2O3添加实现MgB2中的强钉扎增强
超导电性
2009-11-11 v1 材料科学
摘要
将0.5至5.0 wt.%的Dy2O3与Mg + B原位反应，形成钉扎的MgB2。虽然Tc基本保持不变，但Jc显著增强。最佳样品（仅0.5 wt.% Dy2O3）在6K、1T下的Jc为6.5 x 10^5 A/cm^2，在20K、1T下为3.5 x 10^5 A/cm^2，比纯样品高出约4倍，并且与在1T以下热压或添加纳米Si的MgB2相当。在晶粒内观察到均匀分布的DyB4和MgO纳米级沉淀物。室温电阻率随Dy2O3的添加而降低，表明晶粒连接性得到改善。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0602234,
title = {Strong Pinning Enhancement in MgB2 Using Very Small Dy2O3 Additions},
author = {S. K. Chen and M. Wei and J. L. MacManus-Driscoll},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0602234},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 4 figures and 1 table