结构缺陷对 bulk MgB2 内部临界电流的影响
材料科学
2018-07-04 v1 超导电性
摘要
在不同的合成条件下制备的 bulk MgB2 样品通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜进行分析。通过 bulk 样品和分散在环氧树脂中的粉末样品的磁化-磁场曲线确定临界电流密度。结果表明，在缓慢冷却过程中，高温合成时溶解在 bulk MgB2 中的氧气可析出并在 MgB2 基质中形成纳米尺度的一致 Mg(B,O)2 Precipitates。磁化测量表明，这些 Precipitates 作为有效的通量阘束中心，从而显著提高了内部临界电流密度及其场依赖性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0305027,
title = {The influence of structural defects on intra-granular critical currents of bulk MgB2},
author = {A. Serquis and X. Z. Liao and L. Civale and Y. T. Zhu and J. Y. Coulter and D. E. Peterson and F. M. Mueller},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0305027},
year = {2018}
}
备注
4 pages, 4 figures, to be published in IEE Transactions in Applied Superconductivity