MgB2 bulk 均匀临界态的磁光研究
超导电性
2009-11-07 v1
摘要
我们对通过 Mg 与 B 直接反应制备的多晶 MgB2 薄板中磁通渗透进行了详尽的磁光调查。我们的结果明确表明，存在均匀的 Bean 临界态磁化行为，几乎没有电磁细节。从测量得到的磁通轮廓中，我们能够提取出临界电流密度 Jc(T) 的温度依赖性。在 10K 和 0.12T 时，Jc(T) 值达到 1.8×10^5 A/cm²，与全局磁化测量结果良好一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0107532,
title = {Magneto-optical studies of the uniform critical state in bulk MgB2},
author = {A. A. Polyanskii and A. Gurevich and J. Jiang and D. C. Larbalestier and S. L. Bud'ko and D. K. Finnemore and G. Lapertot and P. C. Canfield A. A. Polyanskii and A. Gurevich and J. Jiang and D. C. Larbalestier and S. L. Bud'ko and D. K. Finnemore and G. Lapertot and P. C. Canfield},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0107532},
year = {2009}
}