中子辐照 MgB$_{2}$ 中增强的磁通钉扎
超导电性
2009-11-11 v1
摘要
我们研究了中子辐照对同位素纯多晶 Mg11B2 样品的临界电流密度 Jc 的影响。对于在 1017-1018 cm-2 范围内的注量，Jc 得到增强且其对磁场的依赖性得到显著改善：我们证明，在这种状态下，点状钉扎中心被有效地引入系统中，且与中子注量成正比。相反，对于更大的注量，发现临界温度出现强烈抑制，同时上临界场 Bc2 和 Jc 均下降。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0506750,
title = {Enhanced flux pinning in neutron irradiated MgB2},
author = {I. Pallecchi and C. Tarantini and H. U. Aebersold and V. Braccini and C. Fanciulli and C. Ferdeghini and F. Gatti and E. Lehmann and P. Manfrinetti and D. Marre' and A. Palenzona and A. S. Siri and M. Vignolo and M. Putti},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0506750},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 3 igures