中子辐照对多晶 Mg11B2 影响
超导电性
2011-08-29 v2 材料科学
摘要
我们研究了中子辐照引入的无序对多晶 MgB2 样品的影响。为规避因热中子与 10B 强相互作用导致的自掩蔽效应，我们采用富集 11B，其中 10B 含量比天然 B 低 40 倍。通过比较不同中子源照射的不同系列样品的电气和结构性能，并使用 Cd 屏蔽，得出结论：尽管 10B 含量较低，主要损伤机制仍由热中子引起，而快中子作用较小。辐照导致上临界场和临界电流密度均得到改善，照射剂量在 1-2×10^18 cm^-2 范围内。随着辐照 fluence 增大，超导性能下降。对临界场和电流密度行为进行深入分析，以识别介入的散射和钉扎机制。最后分析了某些特征长度与过渡宽度之间的相关性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0512046,
title = {Effects of neutron irradiation on polycrystalline Mg11B2},
author = {C. Tarantini and H. U. Aebersold and V. Braccini and G. Celentano and C. Ferdeghini and V. Ferrando and U. Gambardella and F. Gatti and E. Lehmann and P. Manfrinetti and D. Marre' and A. Palenzona and I. Pallecchi and I. Sheikin and A. S. Siri and M. Putti},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0512046},
year = {2011}
}
备注
22 pages, 12 figures. In press on Phys. Rev. B