利用碳水化合物掺杂显著提高MgB2超导体的临界电流密度
超导电性
2007-05-23 v1
摘要
凭借相对较高的临界温度（Tc）39 K1 和在中等磁场下超过 100000 A/cm2 的高临界电流密度（Jc），二硼化镁（MgB2）超导体有望在 20 K 下实现重要的大规模和电子器件应用。通过掺杂各种形式的碳（C），MgB2 的电磁性能得到了显著增强。然而，纳米级掺杂剂的团聚以及含碳掺杂剂与 MgB2 的不良反应性限制了掺杂效果。未反应的掺杂剂会导致超导体体积的减少。在这项工作中，我们展示了碳水化合物掺杂相对于其他掺杂剂的优势，使得在场 Jc 提高了一个数量级以上，而自场 Jc 没有任何退化。由于存在大量易得的碳水化合物，这一发现不仅对 MgB2 的制备，而且对许多基于碳的化合物和复合材料都具有重要意义。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607350,
title = {Strong enhancement of critical current density in MgB2 superconductor using carbohydrate doping},
author = {J. H. Kim and S. Zhou and M. S. A. Hossain and A. V. Pan and S. X. Dou},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607350},
year = {2007}
}
备注
12 pages, 1 table, 4 figures