碳水化合物掺杂MgB2中掺杂诱导无序与超导性质的相关性
超导电性
2009-11-13 v1
摘要
对碳水化合物掺杂对MgB2超导电性的影响进行了全面研究。根据双反应模型，在较低的烧结温度下实现了更多的碳替代。随着烧结温度的降低，晶格无序度增加。从晶格应变、电阻率和转变温度之间的相关性可以看出，无序是决定本研究中样品转变温度的重要因素。进一步表明，高场区域临界电流密度的增加可以通过最近提出的逾渗模型[Phys. Rev. Lett. 90 (2003) 247002]来理解。对于临界电流密度分析，上临界场是根据最近一篇综述文章[Supercond. Sci. Technol. 20 (2007) R47]中报道的相关性估算的，其中掺杂导致上临界场的急剧增加主要是由于晶格无序或杂质散射的增加。另一方面，研究表明观察到的自场临界电流密度的降低与碳水化合物掺杂导致的钉扎力密度降低有关。
引用
@article{arxiv.0810.1558,
title = {Correlation between doping induced disorder and superconducting properties in carbohydrate doped MgB2},
author = {J. H. Kim and S. X. Dou and Sangjun Oh and M. Jercinovic and E. Babic and T. Nakane and H. Kumakura},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.1558},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 3 figures