一步合成高临界电流密度的KxFe2-ySe2单晶
超导电性
2015-06-04 v3
摘要
我们建立了一个简单的方法，可以一步合成KxFe2-ySe2单晶，该单晶表现出高临界电流密度Jc。后退火和淬火技术改善了生长晶体的均匀性，实现了对外磁场的完全屏蔽。淬火晶体在Tconset = 32.9 K和Tczero = 32.1 K处显示出超导转变。对于H//ab和H//c，上临界场μ0Hc2(0)分别估计为~206 T和~50 T。在5 K时，H//ab和H//c的临界电流密度Jc分别高达1.0×10^5 A/cm^2和3.4×10^4 A/cm^2。此外，Jc表现出高场性能和显著弱的温度依赖性（高达5 T），表明强钉扎。这些结果表明KxFe2-ySe2是实际应用的有前景的候选材料。
关键词
引用
@article{arxiv.1202.3837,
title = {One-step synthesis of KxFe2-ySe2 single crystals for high critical current density},
author = {Toshinori Ozaki and Hiroyuki Takeya and Hiroyuki Okazaki and Keita Deguchi and Satoshi Demura and Yasuna Kawasaki and Hiroshi Hara and Tohru Watanabe and Takahide Yamaguchi and Yoshihiko Takano},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.3837},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 5 figures