超导 (Ba,K)Fe$_{2}$As$_{2}$单晶中的磁通蠕动与临界电流密度

针对磁场分别平行于 c 轴和$ab$面的情况，研究了单晶 Ba$_{1-x}$K$_{x}$Fe$_{2}$As$_{2}$临界态中持续电流密度令人惊讶的快速弛豫现象。由于为高温超导铜氧化物中磁通蠕动开发的标准分析程序在此并不适用，我们提出了一种简单直接的数据处理技术，揭示了蠕动机制及蠕动指数$\mu$。在低于第二磁化峰的低磁场下，$\mu$随温度和磁通密度$B$的变化甚微。根据数据，我们确定了蠕动的有效激活势垒对温度和磁场的依赖性。在低温下，测得的电流密度趋近于零温临界电流密度（无蠕动情况下），误差在 2 倍以内，从而佐证了先前关于钉扎机制的结论。实验屏蔽电流密度与零温临界电流密度的数值相当，揭示了广泛使用的“插值公式”的局限性。