含纳米棒的 YBCO 薄膜中$j_c$场依赖性降低的建模

磁通钉扎仍然是高温超导体在高场下临界电流的主要限制因素。在本文中，我们对含有与磁场排列的柱状缺陷的薄膜中的临界电流场依赖性进行了建模。重现并解释了 BaZrO$_3$掺杂的 YBa$_2$Cu$_3$O$_{6+x}$薄膜临界电流的特征形状。该模型基于求解存在晶格柱状缺陷的 Ginzburg-Landau 方程。研究发现，柱状缺陷的尺寸对于解释 BaZrO$_3$掺杂的 YBa$_2$Cu$_3$O$_{6+x}$薄膜临界电流的圆化形状至关重要。还发现棒的尺寸改变了涡旋晶格的长程有序性。