YBa2Cu3O7-d 薄膜的零场面内临界电流密度
超导电性
2013-11-15 v1
摘要
针对具有不同空穴含量 的 c 轴取向 YBa2Cu3O7-d (Y123) 薄膜，研究了 CuO2 面内零场临界电流密度 的温度依赖性。 值通过改变氧缺位 进行调节。 是根据在不同温度下获得的磁滞 (-) 回线计算得出的。通过分析不同样品组分的 数据，我们提取了关于 Y123 超导体中潜在磁通钉扎机制性质的重要信息。研究发现，氧缺陷在涡旋钉扎中仅起次要作用，而超流密度则起显著作用。控制给定样品组分 行为的温度指数 随空穴含量的变化表现出系统性行为。
引用
@article{arxiv.1311.3373,
title = {Zero-Field In-Plane Critical Current Density of YBa2Cu3O7-d Thin Films},
author = {M. Rakibul Hasan Sarkar and S. H. Naqib},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.3373},
year = {2013}
}