掺杂对Y1-xCaxBa2Cu3O7-delta临界电流和不可逆电场的依赖性
超导电性
2009-11-10 v1
摘要
对YBa2Cu3O7-delta和Y0.8Ca0.2Ba2Cu3O7-delta薄膜进行了临界电流测量，分别采用溶胶-凝胶和脉冲激光沉积制造。两种样品在低温都具有较高的临界电流，其中J_c在过掺杂的Y0.8Ca0.2Ba2Cu3O7-delta薄膜中最大。烘焙研究表明，随着空穴浓度的增加，J_c显著增大，表明最大J_c应发生在过掺杂样品中。通过研究bulk陶瓷Y0.8Ca0.2Ba2Cu3O7-delta样品探测了超导相图中非常过掺杂区域，发现当按约化温度(t = (1 - T/Tc))缩放时，不可逆电场随着空穴浓度的增加而系统性地增大。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0407282,
title = {Doping Dependence of the Critical Current and Irreversibility Field in Y1-xCaxBa2Cu3O7-delta},
author = {Anita Semwal and N. M. Strickland and A. Bubendorfer and S. H. Naqib and Swee Kuan Goh and G. V. M. Williams},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0407282},
year = {2009}
}
备注
To appear in Supercond.Sci.Technol.17 (2004)S1-S5