薄欠掺杂铜氧化物薄膜中依赖掺杂的临界库珀对动量

我们应用最近开发的低场技术，以感应方式测量 Y$_{1-x}$Ca$_{x}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$ 和 Bi$_{2}$Sr$_{2}$CaCu$_{2}$O$_{8+\delta}$ 薄欠掺杂薄膜中的临界对动量 $p_c$，这些薄膜反映了广泛的空穴掺杂范围。我们观察到 $p_c \propto \hbar/\xi$ 与 $T_c$ 成比例，因此在我们的二维铜氧化物薄膜中与超流密度 $n_s(T\rightarrow0)$ 成比例。这一关系曾由具有\textit{与掺杂无关}超导能隙的铜氧化物普适模型著名地预测出来，但由于理论中未包含的场致现象，尚未通过相干长度 $\xi$ 的高场测量观察到。