欠掺杂高温铜氧化物中存在两种不同电荷载流子的证据
强关联电子
2013-05-29 v2 超导电性
摘要
我们展示了关于重欠掺杂 的结果，提供了证据表明掺杂机制（阳离子取代或氧负载）直接决定了注入的移动空穴是贡献于超导电性还是仅贡献于正常金属特性。我们认为这种空穴标记要求对关联能带进行比通常描述更细致的刻画。我们还详细绘制了欠掺杂超导相图 随空穴掺杂的变化，表明移动空穴的数量并非超导电性的关键参数。
引用
@article{arxiv.0708.0710,
title = {Evidence of two distinct charge carriers in underdoped high Tc cuprates},
author = {S. Sanna and F. Coneri and A. Rigoldi and G. Concas and R. De Renzi},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.0710},
year = {2013}
}
备注
4 pages, 4 figures