YBa2Cu3O7-x 界面耗尽层中载流子密度的定量计算
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
高温超导体界面和晶界处的电荷再分布一方面对技术应用构成问题。另一方面，它为定制局部电子态提供了广阔前景。对于原型(金属)界面，我们推导了 CuO2 面本征掺杂的定量结果，即载流子密度与体值的偏差。我们的数据基于密度泛函理论框架内的从头算超胞计算。清洁界面固有地存在显著的空穴欠掺杂，几乎与界面几何结构无关。相反，阳离子取代以及电负性杂质的掺入可以补偿本征电荷转移，并实现对超导体掺杂的精确调节。讨论了氧缺乏的影响。
引用
@article{arxiv.0903.3320,
title = {Quantitative calculations of charge carrier densities in the depletion layers at YBa2Cu3O7-x interfaces},
author = {U. Schwingenschloegl and C. Schuster},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.3320},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 6 figures, accepted by Phys. Rev. B