氧化物异质结界面上无无序效应的载流子掺杂系统控制
强关联电子
2011-07-05 v1
摘要
我们提出了一种在过渡金属氧化物异质结界面处系统控制载流子密度而不引入无序的方法。通过插入由极性层夹持的非极性层，可以实现界面处的连续载流子掺杂。该方法使我们能够系统地将每单位晶胞的总载流子密度控制到高达数量级为1的高值。
引用
@article{arxiv.0912.2484,
title = {Systematic Control of Carrier Doping without Disorder at Interface of Oxide Heterostructures},
author = {Motoaki Hirayama and Masatoshi Imada},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.2484},
year = {2011}
}
备注
8 pages, 9 figures