强关联材料异质结中的电荷转移
强关联电子
2009-11-13 v2
摘要
本文简要回顾了作者最近在氧化物多层膜领域的理论研究工作。计算采用了模型哈密顿量和多种非微扰技术。此外，本文还包含了新的结果。这些结果对应于在多层膜几何结构中通过混合绝缘体产生金属态，使用了 Hubbard 模型和双交换模型。对于后者，所产生的金属态同时也是铁磁性的。这说明了通过多层膜中的电荷转移进行电子或空穴掺杂，如何能够用于研究清洁极限下过渡金属氧化物的相图。目前，这些相图受到标准化学掺杂程序的严重影响，该程序会在材料中引入淬火无序。
引用
@article{arxiv.0801.2174,
title = {Charge transfer in heterostructures of strongly correlated materials},
author = {I. Gonzalez and S. Okamoto and S. Yunoki and A. Moreo and E. Dagotto},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.2174},
year = {2009}
}
备注
14 pages, 9 figures. Invited article for a special issue of JPCM on Metal Oxide Thin Films; minor changes in the text