经结构无序分子单层修饰的金属/有机半导体接触处电荷注入势垒的可逆切换
材料科学
2014-01-14 v1
摘要
金属/半导体界面通过形成可通过调节金属功函数来控制的电荷注入势垒来支配半导体器件的运行。然而，这种控制能力通常局限于静态方式。我们表明，使用结构无序的分子单层进行电极表面修饰，可以赋予界面动态特性。在外部电场作用下，界面处的势垒高度以可逆的方式发生显著改变。结果观察到，通过界面的载流子输运性质发生了剧烈变化，例如金属/有机半导体/金属二极管的极性发生可逆反转。
关键词
引用
@article{arxiv.1401.2616,
title = {Reversible Switching of Charge Injection Barriers at Metal/Organic-Semiconductor Contacts Modified with Structurally Disordered Molecular Monolayers},
author = {Ryo Nouchi and Masanori Shigeno and Nao Yamada and Tomoaki Nishino and Katsumi Tanigaki and Masahiko Yamaguchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.2616},
year = {2014}
}
备注
25 pages