氧化物异质结构结与半导体电子器件的差异
强关联电子
2009-11-13 v1 其他凝聚态物理
摘要
在 Pr0.7Ca0.3MnO3 (PCMO) 异质结构结中进行的载流子注入表现出无电场下的稳定性以及电阻和界面势垒的剧烈变化，这与半导体器件的行为完全不同。界面势垒的消失和反转表明，这种异质结构氧化物器件的可调电阻开关应与载流子跨界面的运动有关。结果表明，注入的载流子应仍留在器件中并导致性质发生变化，这在强关联电子框架下引出了载流子自陷和释放的图景。在 PCMO 和缺氧 CeO2 器件中的观察表明，氧化物作为功能材料可用于微电子学中并具有一些新颖的性质，其中界面起着非常重要的作用。
引用
@article{arxiv.0812.2071,
title = {Difference of Oxide Hetero-Structure Junctions with Semiconductor Electronic Devices},
author = {Guangcheng Xiong and Yuansha Chen and Liping Chen and Guijun Lian},
journal= {arXiv preprint arXiv:0812.2071},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 4 figures