有机异质结中电荷载流子诱导的势垒高度降低
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
为了在宽电场范围和不同温度下精确描述有机异质结器件的电流密度-电压(J-V)特性，本文提出异质结处电荷载流子的积累会导致跨异质结的势垒高度降低。使用两种众所周知的空穴传输材料，4,4,4-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(MTDATA)和N,N-二苯基-N,N-双(1-萘基)(1,1-联苯)-4,4-二胺(NPB)制备了单极异质结器件。研究发现J-V特性强烈依赖于外加偏压。采用修正注入模型模拟的异质结器件J-V特性与实验数据吻合良好。
引用
@article{arxiv.0808.1048,
title = {Charge carrier induced barrier height reduction at organic heterojunctions},
author = {S. W. Tsang and M. W. Denhoff and Y. Tao and Z. H. Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0808.1048},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures, published in Phys. Rev. B Vol. 78, No. 8, http://link.aps.org/abstract/PRB/v78/e081301