GaN/VO2 外延 p-n 结：能带偏移与少数载流子动力学
材料科学
2013-06-06 v1 强关联电子
摘要
我们报道了基于 p 型 GaN 和 n 型关联氧化物 VO2 的 p-n 异质结的实验实现。通过不同温度下的电流 - 电压和电容 - 电压测量评估了能带偏移。提出了基于传统能带弯曲图像的能带图，以解释电学测量中表观势垒高度的演变；该图表明，当 VO2 经历绝缘体到金属转变时，其功函数降低了约 0.2 eV，这与文献中报道的开尔文力显微镜测量结果在定性上一致。频率依赖的电容测量使我们能够区分少数载流子效应与界面态及串联电阻的贡献，并估算出 VO2 绝缘相中的少数载流子寿命为微秒量级。这种基于氮化物 - 氧化物的 p-n 异质结提供了一个新的维度。
引用
@article{arxiv.1306.0916,
title = {GaN / VO2 heteroepitaxial p-n junctions: Band offset and minority carrier dynamics},
author = {You Zhou and Shriram Ramanathan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.0916},
year = {2013}
}