基于单层二维半导体异质结的垂直晶体管工作原理
介观与纳米尺度物理
2014-08-14 v1
摘要
本文从理论上考察了基于双栅极、原子级薄异质结的垂直晶体管。通过将两个栅极中的一个用作开关栅极，可以方便地实现 p 型和 n 型晶体管操作。由于漏致耗尽和缺乏隧穿势垒层，该晶体管表现出优异的输出 I-V 特性饱和性。由于带过滤作为开关机制，亚阈值摆幅可能低于热电子发射极限。原子级薄的垂直 PN 异质结可以从 II 型异质结静电调制至带隙断裂排列，这种排列有利于最大化导通电流。
引用
@article{arxiv.1408.3026,
title = {Operating Principles of Vertical Transistors Based on Monolayer Two-Dimensional Semiconductor Heterojunctions},
author = {Kai Tak Lam and Gyungseon Seol and Jing Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.3026},
year = {2014}
}