III-氮化物异质结构纳米线中的极化与空间电荷限制电流
应用物理
2020-09-07 v1
摘要
一根未掺杂的 AlGaN/GaN 纳米线仅基于在 (000-1) AlGaN/GaN 晶面上由负极化场形成的空穴载流子而表现出 p 型导电性。基于该纳米线的晶体管展示了从欧姆导电到空间电荷限制导电的低电压转变。数值模拟表明,三角形横截面上存在高度不对称的应变,这在 (000-1) 晶面上产生了压电极化面电荷的双峰。此外,(000-1) AlGaN/GaN 界面处的电荷与三个表面的耗尽之间,以及其与两个半极性 {-110-1} 晶面上的相反极化场的相互作用之间存在强烈的相互影响。电荷分布及由此产生的导电机制高度依赖于多层结构的构型,且无法用解析模型描述。
引用
@article{arxiv.2009.02142,
title = {Polarization and Space Charge Limited Current in III-Nitride Heterostructure Nanowires},
author = {Michael A. Mastro and Hong-Youl Kim and Jaehui Ahn and Blake Simpkins and Pehr Pehrsson and Jihyun Kim and Jennifer K. Hite and Charles R. Eddy},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.02142},
year = {2020}
}