邻晶面N极性AlGaN/GaN异质结构中电子的横向限制
材料科学
2015-05-19 v1
摘要
我们研究了邻晶面N极性AlGaN/GaN异质结构中依赖于方向的输运。我们观察到平行和垂直于偏向方向的载流电荷存在显著的各向异性。基于栅控TLM和霍尔测量，对电荷各向异性进行了定量估计。我们假设静电限制一维通道的形成来解释电荷各向异性。利用数学模型验证了分布在偏向结构上的极化电荷可以在邻晶面衬底中产生横向一维限制。所观察到的这种极化工程静电限制，除了为可制造的一维器件提供模板外，还为低维物理和器件的新研究提供了前景。
引用
@article{arxiv.1009.2537,
title = {Lateral Confinement of Electrons in Vicinal N-polar AlGaN/GaN Heterostructure},
author = {Digbijoy N. Nath and Stacia Keller and Eric Hsieh and Steven P. DenBaars and Umesh K. Mishra and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.2537},
year = {2015}
}