缺陷 AlN/GaN 杂化纳米结构的结构与电子性质
材料科学
2020-07-21 v1
摘要
由于潜在应用范围广泛，原子级薄的二维异质结构已引起广泛关注。本工作中，我们利用第一性原理计算，研究了在界面处存在空位的平面 AlN/GaN 杂化异质结的结构与电子性质。我们的结果表明，由移除铝原子或镓原子产生的单个空位，会产生类似的电子能带结构，并在带隙内出现局域态。我们还观察到稳健的磁性行为。另一方面，氮空位会诱导带隙中间态的形成，并使总体磁化强度降低。我们还研究了由这些异质结卷曲形成的纳米管。我们观察到管曲率并未显著影响其母体 AlN/GaN 异质结的电子与磁性质。对于扶手椅型纳米管，由于体系几何从二维向准一维转变，观察到从直接带隙到间接带隙的跃迁。AlN/GaN 缺陷晶格所呈现的磁性特征使其成为开发新型自旋电子学技术的良好候选。
引用
@article{arxiv.2001.10320,
title = {Structural and Electronic Properties of Defective AlN/GaN Hybrid Nanostrutures},
author = {Ramiro Marcelo dos Santos and Acrisio Lins de Aguiar and Jonathan da Rocha Martins and Renato Batista dos Santos and Douglas Soares Galvão and Luiz Antonio Ribeiro Junior},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.10320},
year = {2020}
}
备注
18 pages, 8 Manuscript Figures, and 8 Support Info. Figures