GaP(110)表面及其下方空位的电子与结构性质
材料科学
2009-10-30 v3
摘要
我们利用第一性原理赝势计算方法来确定 GaP(110)表面中中性表面和亚表面空位的原子和电子结构。阳离子及阴离子表面空位均显示出三个最近邻原子向空位位置的显著向内松弛，而表面点群对称性得以保持。对于这两种类型的空位，我们发现位于带隙中间的单占据能级。第二层以下的亚表面空位显示出与 Bulk 缺陷本质相同的性质。我们的结果表明，第二层的空位显示出不像表面或 Bulk 空位所具有的特征：出现较大的松弛，且两种缺陷都不稳定于形成反位空位复合物。通过模拟扫描隧道显微镜图像，我们对不同类型的空位进行了模拟，结果与实验数据在表面空位方面获得了良好的一致性，并预测了亚表面空位的特征。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9710294,
title = {Electronic and structural properties of vacancies on and below the GaP(110) surface},
author = {G. Schwarz and A. Kley and J. Neugebauer and M. Scheffler},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9710294},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 6 figures, Submitted to Phys. Rev. B, Other related publications can be found at http://www.rz-berlin.mpg.de/th/paper.html