含缺陷ZnSe/GaAs(001)界面的结构性质与稳定性
材料科学
2011-12-30 v1
摘要
我们在密度泛函理论框架内，采用LDA近似下的精确从头算赝势计算，研究了含缺陷ZnSe/GaAs(001)异质结的结构性质和稳定性。有强有力的实验证据表明，具有最小堆垛层错密度的ZnSe/GaAs异质结与界面处存在大量Ga空位有关。为了深入了解支配其形成和稳定性的、目前尚不清楚的微观机制，我们比较了一些选定的简单界面构型的相对稳定性，这些构型的选择考虑了电荷中性原则，并允许界面附近存在Ga空位。值得注意的是，我们的结果表明，在特定的热力学条件下，某些含空位的界面比无缺陷界面更受青睐。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0410326,
title = {Structural properties and stability of defected ZnSe/GaAs(001) interfaces},
author = {A. Stroppa and M. Peressi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0410326},
year = {2011}
}
备注
19 pages, 5 figures, PDF only; in press on Comp.Mat.Sci