氧化物界面处的反位缺陷

我们利用\textit{ab initio}计算来估算氧化物界面处阳离子（过渡金属）反位缺陷的形成能，并理解驱动或抑制这些缺陷形成的基本物理效应。在具有显著跨界面电荷转移的体系中，反位缺陷更受青睐；而Jahn-Teller畸变和巡游铁磁性能够阻止反位缺陷，并有助于稳定原子级锐利的界面。我们的结果使得识别那些更易或不易形成反位缺陷的体系类别成为可能，并激励了实验研究和进一步的理论计算，以阐明氧化物界面体系的局部结构与稳定性。