ZnSe/GaAs(001)异质结构中含缺陷界面处的结构、热力学与电子性质
材料科学
2011-12-30 v2
摘要
我们对 ZnSe/GaAs(001) 异质结构的结构和电子性质进行了精确的 ab initio 势阱计算，考虑包含电中性准则的界面配置。除了最简单的含原子扩散的配置外，我们还考虑一些表现为 As 缺乏和阳离子空位的配置，这些动机来自最近成功生长 ZnSe/GaAs 层压结构且具有最小堆叠错配密度的成功经验，后者表现为界面区域存在含缺陷 (Zn,Ga)Se 合金。我们发现，在特定热力学条件下，某些含缺陷配置相对于包含简单阳离子或阴离子混合的无缺陷配置更为可取，且某些含缺陷结构计算得到的带偏移与实验测得值相符。虽然无法提取关于界面组成和空位浓度的精确信息，但我们的计算结果支持实验表明在高品质 ZnSe/GaAs(001) 异质结中存在 (Zn,Ga)Se 缺陷化合物且本征堆叠错配密度较低。测得的带偏移范围表明不同原子在界面处重新排列，可能存在空位，使得不仅局部电荷但也离子偶极子消失。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0507724,
title = {ZnSe/GaAs(001) heterostructures with defected interfaces: structural, thermodynamic and electronic properties},
author = {A. Stroppa and M. Peressi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507724},
year = {2011}
}
备注
26 pages. 5 figures, revised version, in press (Physical Review B)