铁磁半导体异质结带偏移的第一性原理研究
材料科学
2007-05-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们使用密度泛函理论计算并报告了 n 型铁磁半导体 CdCr2Se4 与非磁性材料 Si 和 GaAs 之间异质结的价带和导带排列及带偏移。我们通过数值方法探讨了不同界面特征对能带排列类型和偏移大小的影响。例如，我们发现从界面层中耗尽 Cr 原子在能量上是有利的；与富 Cr 界面相比，这也导致带偏移幅度更小，并且对于向 Si 或 Ga 终止的 GaAs 衬底进行电学自旋注入是理想的。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0110474,
title = {First-principles study of band offsets in ferromagnetic semiconductor heterojunctions},
author = {J. M. Sullivan and S. C. Erwin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0110474},
year = {2007}
}
备注
7 pages, 9 figures, submitted to Physical Review B