β-Ga₂O₃ 与 Al₂O₃ 界面处的能带偏移
材料科学
2022-09-15 v1
摘要
通过杂化泛函计算研究了(-201) β-Ga₂O₃ 与 Al₂O₃ 多晶型物界面处的能带偏移与化学键合。对于氧化铝，我们考虑四种代表性相，即 α、κ、θ 和 γ-Al₂O₃。我们生成了满足电子计数规则的 realistic slab 模型。O 原子桥接 β-Ga₂O₃ 与 Al₂O₃ slab，且所有悬键均被饱和。能带偏移通过一种需要对体相与界面分别进行计算的对准方案获得。计算所得的能带偏移可用于基于 β-Ga₂O₃/Al₂O₃ 异质结的器件设计，特别是 β-Ga₂O₃ 金属-氧化物半导体场效应晶体管。
引用
@article{arxiv.2209.06739,
title = {Band offsets at the interfaces between $\beta$-Ga$_2$O$_3$ and Al$_2$O$_3$},
author = {Sai Lyu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.06739},
year = {2022}
}