用于光电模拟的能带对齐的第一性原理计算
材料科学
2019-01-04 v1
摘要
采用改进的核到价带顶方法计算应变III/V族半导体异质结的能带偏移。该方法用于分析(In,Ga)As/GaAs/Ga(As,Sb)多量子阱结构。所获得的偏移及由此得到的能带结构被用作光致发光谱微观计算的输入，与近期实验结果非常吻合。
引用
@article{arxiv.1901.00667,
title = {Ab-initio calculation of band alignments for opto-electronic simulations},
author = {Jan Oliver Oelerich and Maria J. Weseloh and Kerstin Volz and Stephan W. Koch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.00667},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 5 figures