(Ga,In)As/Ga(As,Sb)异质结构中的能带偏移
介观与纳米尺度物理
2016-12-21 v1
摘要
利用温度和功率依赖的光致发光（PL）光谱分析了一系列 (Ga,In)As/GaAs/Ga(As,Sb) 多量子阱异质结构。观察到显著的PL随样品温度的变化，并采用基于 kp 方法的微观多体理论和能带结构计算进行了分析。这一理论-实验对比揭示了 (Ga,In)As 与 Ga(As,Sb) 量子阱之间能带对齐的一种不寻常的、随温度变化的偏移。
引用
@article{arxiv.1610.03699,
title = {Band Offset in (Ga,In)As/Ga(As,Sb) Heterostructures},
author = {S. Gies and M. J. Weseloh and C. Fuchs and W. Stolz and J. Hader and J. V. Moloney and S. W. Koch and W. Heimbrodt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.03699},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 8 figures