超宽GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As量子阱光学响应中的轻空穴量子化
介观与纳米尺度物理
2015-06-12 v1
摘要
研究了未掺杂的超宽150 nm和250 nm GaAs量子阱的温度依赖反射率和光致发光光谱。结果表明，先前归因于激子在z方向运动尺寸量子化的光谱特征与轻空穴的量子化能级能量吻合良好。此外，在高于激子解离温度时，光谱显示出非常相似的性质。
引用
@article{arxiv.1211.6362,
title = {Light-hole quantization in the optical response of ultrawide GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As quantum wells},
author = {V. V. Solovyev and V. A. Bunakov and S. Schmult and I. V. Kukushkin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.6362},
year = {2015}
}
备注
accepted to J. Phys.: Condens. Matter