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低温下具有量子阱的 In$_{x}$Ga$_{1-x}$As-GaAs 异质结构的激子参数

材料科学 2013-03-19 v1 介观与纳米尺度物理

作者: N. M. Litovchenko , D. V. Korbutyak , O. M. Strilchuk

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摘要

根据低温光致发光光谱的测量结果及其相应的理论分析，评估了在不同生长参数下获得的具有单量子阱的 GaAs/In $_{x}$ Ga $_{1-x}$ As/GaAs 异质结构的特性。

关键词

激子参数 inxga1-xas-gaas 异质结构量子阱低温光致发光生长参数

引用

@article{arxiv.1303.3884,
  title  = {Excitonic parameters of InxGa1-xAs-GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures},
  author = {N. M. Litovchenko and D. V. Korbutyak and O. M. Strilchuk},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1303.3884},
  year   = {2013}
}

备注

8 pages, 5 figures