(GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As W 型量子阱异质结构激光器的温度相关光谱性质
介观与纳米尺度物理
2020-12-04 v1
摘要
本文基于理论建模与实验发现，讨论了用于激光应用的 (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As W 型量子阱异质结构的温度相关性质。应用微观理论讨论了能带弯曲效应，该效应导致了在 II 型异质结构中观测到的随载流子密度增加的特征蓝移。此外，计算了 W 型量子阱异质结构至高载流子密度的增益谱。在这些高载流子密度下，多个 II 型跃迁之间的相互作用产生了宽且平的增益谱，其谱宽约为 160 nm。进而，利用电致发光以及激光器特性测量分析了宽面边发射激光器的温度相关性质。给出了理论预测的宽增益谱的初步迹象，并讨论了温度相关的红移与载流子密度相关的蓝移之间的相互作用。这些效应的结合显著减小了发射波长的温度诱导红移，甚至实现了 (-0.10 ± 0.04) nm/K 的负移率。
引用
@article{arxiv.2012.01522,
title = {Temperature-dependent spectral properties of (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As W-quantum well heterostructure lasers},
author = {Christian Fuchs and Ada Baeumner and Anja Brueggemann and Christian Berger and Christoph Moeller and Stefan Reinhard and Joerg Hader and Jerome V. Moloney and Stephan W. Koch and Wolfgang Stolz},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.01522},
year = {2020}
}