II型VECSEL芯片的增益光谱
光学
2016-12-21 v1 仪器与探测器
摘要
利用光泵浦-白光探测光谱技术，研究了一款基于II型异质结构的VECSEL芯片的增益动力学。该芯片的有源区由GaAs/(GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As/GaAs多量子阱构成。对于这一结构，一个全微观理论预测了在1170 nm波长处的室温模态增益，该预测得到了实验光谱的证实。结果显示，与I型芯片相比，II型芯片上的增益建立有所延迟。这种较慢的增益动力学归因于电子-空穴散射减少所导致的冷却速率降低。
引用
@article{arxiv.1608.05250,
title = {Gain spectroscopy of a type-II VECSEL chip},
author = {Christian Lammers and Markus Stein and Christian Berger and Christoph Möller and Christian Fuchs and Antje Ruiz Perez and Arash Rahimi-Iman and Jörg Hader and Jerome Moloney and Wolfgang Stolz and Stephan W. Koch and Martin Koch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.05250},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 4 figures