用于光通信的低阈值电流1.25微米II型GaInAs/GaAsSb W激光器的性能特征
光学
2021-08-11 v1 其他凝聚态物理
应用物理
摘要
II型W激光器对中红外激光二极管的发展做出了重要贡献。在本文中，我们展示类似方法可在光通信波长范围内实现高性能激光器。在GaAs衬底上实现了发射波长为1255 nm的(GaIn)As/Ga(AsSb) II型W结构，其在室温下表现出200–300 Acm的低阈值电流密度、100 m宽条带超过1 W的脉冲输出功率，以及室温附近约90 K的特征温度T。光学增益研究表明，在200–300 Acm下模态增益高达15–23 cm，光学损耗低至8 3 cm。自发辐射分析表明，室温下高达24%的阈值电流源于辐射复合，其余电流源于其他热激活非辐射过程。观测到的微分量子效率随温度升高而下降表明，这主要归因于载流子泄漏过程。从这些过程的角度讨论了其对器件进一步优化潜力的冲击。我们的结果展示了近红外II型激光二极管的优异品质因数，并表明其在光通信中具有重要应用潜力。
引用
@article{arxiv.2011.14418,
title = {Performance characteristics of low threshold current 1.25-{\mu}m type-II GaInAs/GaAsSb W-lasers for optical communications},
author = {Dominic A. Duffy and Igor P. Marko and Christian Fuchs and Timothy D. Eales and Jannik Lehr and Wolfgang Stolz and Stephen J. Sweeney},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.14418},
year = {2021}
}