使用 GaSb 半导体光放大器与 Si3N4 光子集成反射器的宽可调 2 μm 混合激光器
光学
2023-03-22 v1
摘要
发射波长位于 2–3 m 范围且与光子集成平台兼容的可调激光器在传感应用中备受关注。为此，将 GaSb 基半导体增益芯片与 SiN 光子集成电路结合提供了一个极具吸引力的平台。本文中，我们利用 SiN 波导的低损耗特性，展示了一种由 GaSb 增益芯片与集成可调 SiN 游标镜组成的混合激光器。在室温下，该激光器最大输出功率为 15 mW，调谐范围为 80 nm（1937–2017 nm）。同时验证了若干基础 SiN 光子集成电路构件的低损耗性能：具体而言，单模波导传输损耗低至 0.15 dB/cm，90 弯曲损耗为 0.008 dB，50/50 Y 分支插入损耗为 0.075 dB。
引用
@article{arxiv.2211.02135,
title = {Widely tunable 2 $\mu$m hybrid laser using GaSb semiconductor optical amplifiers and Si3N4 photonics integrated reflector},
author = {Nouman Zia and Samu-Pekka Ojanen and Jukka Viheriala and Eero Koivusalo and Joonas Hilska and Mircea Guina},
journal= {arXiv preprint arXiv:2211.02135},
year = {2023}
}