基于氮化硅的近紫外光子集成激光器
光学
2022-05-10 v3 应用物理
摘要
基于 III-V 族半导体与硅光子学相结合的低相位噪声激光器在近红外波段已十分成熟。近期低损耗氮化硅基光子集成谐振器的发展，使其在 1550 nm 通信窗口的相位噪声与频率敏捷性方面均优于体块外腔二极管激光器和光纤激光器。在此，我们首次演示了一种由氮化镓（GaN）基激光二极管与氮化硅光子芯片微谐振器组成的混合集成激光器，其工作波长低至 410 nm 的近紫外波段纪录，适用于寻址原子钟、量子计算中使用的原子与离子的跃迁，或用于水下 LiDAR。利用自注入锁定至高 Q（0.4 × 10）光子集成微谐振器，我们观察到 461 nm 处法布里-珀罗激光器的相位噪声降低了大于 100× 的因子，该降低受限于器件品质因子与背向反射。
引用
@article{arxiv.2112.02372,
title = {Near ultraviolet photonic integrated lasers based on silicon nitride},
author = {Anat Siddharth and Thomas Wunderer and Grigory Lihachev and Andrey S. Voloshin and Camille Haller and Rui Ning Wang and Mark Teepe and Zhihong Yang and Junqiu Liu and Johann Riemensberger and Nicolas Grandjean and Noble Johnson and Tobias J. Kippenberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.02372},
year = {2022}
}
备注
10 pages, 8 figures