InGaN量子点堆叠的光学性质与模增益
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v1
摘要
我们展示了对堆叠InGaN量子点层光学性质的研究，并证明了其相对于单量子点层结构的优势。测量分别是在包含单层量子点或三层堆叠量子点层的结构上进行的。随着量子点层数的增加，检测到与量子点相关的光致发光呈超线性增长，而与单个量子点层的光致发光相比，其他相关的GaN相关光谱特征强度要弱得多。通过在不同温度下的微光致发光实验验证了有源材料的量子点特性。为了未来可能集成到光学器件中，利用可变条纹长度法研究了阈值功率密度以及模增益。
关键词
引用
@article{arxiv.0812.0301,
title = {Optical Properties and Modal Gain of InGaN Quantum Dot Stacks},
author = {Joachim Kalden and Kathrin Sebald and Juergen Gutowski and Christian Tessarek and Timo Aschenbrenner and Stephan Figge and Detlef Hommel},
journal= {arXiv preprint arXiv:0812.0301},
year = {2015}
}
备注
9 Pages, 4 Figures