垂直堆叠InAs/GaAs量子点图案阵列的光致发光
材料科学
2011-01-14 v1
摘要
我们报道了通过分子束外延在聚焦离子束图案化的孔阵列上生长的垂直堆叠InAs/GaAs量子点的光致发光测量，其中阵列间距可变。仅在图案化区域观察到1.24 eV的量子点发射，表明光学活性量子点在所需位置优先成核，且在此生长条件下低于量子点形成的临界厚度。作为聚焦离子束辐照孔间距函数的光致发光测量表明，量子点发射强度随阵列周期减小而增加，这与量子点密度增加一致。
引用
@article{arxiv.1012.3710,
title = {Photoluminescence of patterned arrays of vertically stacked InAs/GaAs quantum dots},
author = {T. W. Saucer and J. -E. Lee and A. J. Martin and D. Tien and J. M. Millunchick and V. Sih},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.3710},
year = {2011}
}